Atomic Layer Deposition

原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控性(厚度;成份和结构),优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子学和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。就目前已发表的相关论文和报告显示,该技术未来的主要应用领域包括:

半导体及纳米电子学

传统的蒸镀、溅射、化学气相沉积技术会产生孔隙和表面层缺陷,而原子层沉积技术能有效的保证厚度的均匀性,重现性好,应力低,化学计量准确,低缺陷密度的非晶结构。而除了普通的氧化物外,还可以用来制备高迁移率的异质结构GaAs/AlGaAs,有机晶体管,纳米管等。

Intel早在45nm级处理器就应用了ALD方法制备的高k-HfO2晶体管栅极介电层。而Intel最新量产的 32nm级处理器,对于材料的挥发性,输运方式以及纯度等问题更变得更至关重要,ALD技术的优势和重要性已经更加明显了。目前Intel和IBM已经同 时宣布使用铪基材料作为栅极高k绝缘介质,加速CMOS制造工艺的革命。

优点:缺陷少、均一、厚度可控、可形成无定形包覆,可厌氧反应。

应用如:GaAs/AlGaAs等异质结构、晶体管、电子管、HfO2、ZrO2、Al2O3、LaAlO3、GdScO3 等。