Atomic Layer Deposition

用金属取代半导体多晶硅电极栅以消除层间损耗,优化功能,防止与高k电介质栅的反应。

优点:具有晶体管栅极介电层的所有优点,另外它具有对金属栅电极更少的破坏,附着力强,金属膜光滑,并且用ALD沉积的金属氮化物具有更多的应用。

应用如:Ru, WN ,Pt, RuO, TaN, TiN, HfN等。

ALD制备的金属栅极也已经作为Intel的新处理器技术的选择。