Atomic Layer Deposition

金属铜集成到大规模电路中需要在金属互连线和的硅、二氧化硅之间加入极薄的防扩散层。由于大部分结构是在狭窄而且较深的通道中,所以沉积方法的保型性非常重要。 ALD技术很好地解决了这种问题,他能使特殊的金属、金属氮化物在低温、厚度可控的条件下完成沉积,附着力好。

应用如:WN, TaN, Co.等。