Atomic Layer Deposition

在DRAM介电层应用技术中,体系结构、材料选择和工艺过程是每一个技术点的关键所在。 电容器技术从早先的PIS(聚合物/电介质/硅)改进为现在应用于65nm技术的MIM(金属/电介质/金属)。 原子层沉积Ta2O5、HfO2 尤其是Al2O3已经成功应用于高k电介质中,原子层沉积TiN已经作为金属电极应用于65nm的eDRAM技术中。 ALD的应用已经被证明是高k电介质以及电容器电极的可行性技术。ALD技术能精确地制备出多层金属电容器纳米耐磨层。精确的厚度控制原子层沉积电介质能 够达到高的切断电压、低泄漏以及低损失,并且能为多层电容器制备出更大的CV产品。 由于能够在复杂广阔的材料表面达到均一稳定沉积,这就为大规模生产提供了稳定的基础。

可广泛选择的沉积层材料(WN、Pt、Ru、Cu 等)以及高k电介质材料(HfO2、ZrO2 、钛酸盐等)使得制备电容器方面有较为广泛的选择。