Atomic Layer Deposition

原子层沉积技术(ALD)是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的ALD生长过程是通过选择性交替把不同的前驱体暴露于基片的表面,在表面化学吸附并反应而形成沉积薄膜。与传统的化学气相沉积技术CVD相比,ALD技术要求严格地执行交替脉冲前驱体,以避免气相反应的过程。一个完整的ALD生长循环可以分为四个步骤:

 
 
1.        脉冲第一种前驱体暴露于基片表面,同时在基片表面对第一种前驱体进行化学吸附
2.        惰性载气吹走剩余的没有反应的前驱体
3.        脉冲第二种前驱体在表面进行化学反应,得到需要的薄膜材料
4.        惰性载气吹走剩余的前驱体与反应副产物
 
使用者可通过设定循环次数或时间来实现原子级尺度厚度可控的薄膜沉积
 
原子层沉积(ALD)包括三种主要沉积模式:
 
连续模式TM Flow TM 停流模式TM StopFlow TM 压力调谐模式TM PreTune TM