Atomic Layer Deposition

相对于传统的沉积工艺,ALD技术具有以下明显的优势:
前驱体是饱和化学吸附,不需要控制反应物流量的均一性
沉积参数的高度可控,可实现生成大面积均匀性的薄膜
通过控制反应周期数可简单精确地以原子层厚度精度控制薄膜沉积的厚度
可广泛适用于各种形状的基底
优异的台阶覆盖性,可生成极好的三维保形性化学计量薄膜,
优异的均匀性和一致性,可生成密集无针孔状的薄膜,
可沉积宽深比达2000:1的结构,对纳米孔材料进行沉积
可容易进行掺杂和界面修正,
可以沉积多组份纳米薄膜和混合氧化物
薄膜生长可在低温(室温到400)下进行
固有的沉积均匀性和小的源尺寸,易于缩放,可直接按比例放大
对环境要求包括灰尘不敏感
• 使用与维护成本低