Atomic Layer Deposition

原子层沉积技术现可以沉积的主要材料包括:

材料类别 沉积材料
II-VI族化合物 BaS, CaS, CdS, Cd1-xMnxTe, CdTe, Hg1-xCdxTe, HgTe, MnTe, SrS, SrS1-xSexZnS, ZnSe, ZnS1-xSexZnTe
基于TFEL 的II-VI族荧光材料 CaS:M (M=Ce, Eu, Pb, Tb), SrS:M (M=Ce, Cu, Mn, Pb, Tb, ), ZnS:M (M=Mn, Tb, Tm)
III-V族化合物  AlAs, AlxGa1-xAs, AlP, GaAs, GaxIn1-xAs, GaxIn1-xP, GaP, InAs, InP
氮/碳化物 半导体
介电材料
AlN, GaN, InN, SiNx
导体 MoN(C), NbN(C), Ta3N5TaN(C), TiN(C)
氧化物 介电层 Al2O3BaTiO3CeO2HfO2La2O3MgO, Nb2O5SiO2SrTiO3Ta2O5TiO2Y2O3ZrO2
透明导体
半导体
CoOxGa2O3In2O3, In2O3:Sn, In2O3:F, In2O3:Zr, NiO, SnO2 SnO2:Sb,  ZnO, ZnO:Al
超导材料 YB2Cu3O7-x
其他三元材料 LaCoO3, LaNiO3,Bax(Y1-x)ZrO3
氟化物 CaF2MgF2, SrF2, ZnF2
单质材料 Co, Cu, Fe, Ge, Mo,  Ni, Si, Pt, Ru
其他 CuGaS2 In2S3La2S3, PbS,SiC

 

随着前驱体合成技术的发展,原子层沉积技术可沉积的材料会逐渐丰富,欢迎垂询我们