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单层MoS2晶体管

发布时间:2011-04-12 丨 浏览:3389

相对于一维材料,二维材料更容易制备复杂结构,从而二维材料应有于下一代纳米微电子设备更具有吸引力。二维材料中应用最广泛的莫过于石墨烯,因为它具有优异的物理性能及高的电子迁移速度。然而,带隙作为微电子器件(如:晶体管)的重要性能之一,纯石墨烯没有带隙。人为增加石墨烯带隙,不仅增加了制备难度,同时降低了电子流动性,与应变硅薄膜一个水平或者需要极高的电压。
瑞士洛桑理工大学科研工作人员结合ALD技术在单层MoS2表面制备一层30nm厚的HfO2薄膜作为栅介质,单层MoS2室温流动性至少为200 cm2V-1s-1,与石墨烯纳米棒相当。晶体管的室温电流开/关率达到1×108,超低待机功耗。
 
信息来源--Single-layer MoS2 transistors  
nature nanotechnology / vol 6 / March 2011 / P:147-150.