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ALD制备用于非易失存储器的铁电薄膜

发布时间:2011-11-18 丨 浏览:1629
随着低能耗、高密度存储的研究热潮,可用于非易失存储器的铁电材料倍受研究者关注。最近研究发现,斜方晶系结构的HfO2具有铁电性,其铁电性与掺杂引起的相位稳定性有关。J. Muller等人采用TEMAZTEMAH作有机源,臭氧作氧化剂,通过ALD技术生长7.5~9.5 nm厚的Hf0.5Zr0.5O2薄膜,及由此制备TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN电容器。研究显示Hf0.5Zr0.5O2薄膜具有良好的铁电性,其剩余极化为16 uC/cm2,矫顽场达到1MV/cm。同时具有高剩余极化和低介电常数的铁电材料,可以很好满足FRAM的要求,但是这种材料很难找到。Hf0.5Zr0.5O2Pr 16 uC/cm2k~40,随着ALD技术的成熟,在高纵深比的三维集成器件领域一定会有很大的应用潜力。
 
信息来源
 
Appl.Phys. Lett.99, 112901 (2011) , Appl.Phys. Lett. 99, 102903 (2011).