News & Events

调整热激子在半导体纳米线中的发射和寿命

发布时间:2012-01-03 丨 浏览:1892
通过whispering-gallery纳腔等离子体调整热激子在半导体纳米线中发射和寿命
 
宾夕法尼亚大学的研究工作人员,为了修改激子弛豫和发射特性,制造了半导体纳米线-绝缘体-金属核壳等离子体纳腔结构。这个结构由三部分组成,从内到外分别是:提供半导体激子源的CdS纳米线、SiO2夹层、支持等离子体腔模式的Ag纳米外壳。采用原子层沉积方法制备SiO2纳米层有两个重要作用:首先,金属-硫化物键形成过程中CdS纳米线表面缺陷的电子钝化,从而引起了来自于CdS的大多数自由激子发射,而未钝化的CdS主要来自于缺陷相关的束缚激子发射;其次,由于Ag外壳,SiO2夹层可以阻止CdS激子快淬。SiO2夹层的最优厚度是5nm
 
信息来源-- Nature Material / vol 10 / September 2011 / P:669-675